MBRS2060CTHRNG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.95 V、正向浪涌电流（Ifsm） 150 A，采用 TO-263AB-2 封装。
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芯片技术资料
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MURS2060CTA-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers、单件重量 0.068192 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersMURS2060FCTA-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers、单件重量 0.068192 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersMURS2060FS-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers、单件重量 0.079014 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersNSS20601CF8T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 110 mV，采用 ChipFET-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSS20601CF8T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 ChipFET-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSRAS2060
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、单件重量 0.068654 oz，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSRAS2060 RN
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.7 V、正向浪涌电流（Ifsm） 330 A，采用 D2PAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSRAS2060 RNG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.7 V、正向浪涌电流（Ifsm） 330 A，采用 TO-263AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSRAS2060HRN
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.7 V、正向浪涌电流（Ifsm） 330 A，采用 TO-263AB-3 封装。
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