S1K F3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DO-214AC-2 封装。
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S1K F3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1K M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1K R2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1K R2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1K R3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1K R3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1K-13-F
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1K-E3/5AT
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1K-E3/61T
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
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