S1DLHR2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
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S1DLHR2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1DLHR3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1DLHR3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1DLHRQ
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1DLHRQG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1DLHRTG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1DLHRUG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1DLHRVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1DLS RQG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1.2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V at 1.2 A、最大浪涌电流 50 A，采用 SOD-123HE-2 封装。
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