MBRS1050CTH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾，采用 D2PAK 封装。
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MBRS1050CTHRN
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.9 V、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A，采用 TO-263AB-2 封装。
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Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.9 V、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A，采用 TO-263AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRS1050H
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾，采用 D2PAK 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRS1050HRN
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.8 V、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A，采用 TO-263AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRS1050HRNG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.8 V、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A，采用 TO-263AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMURS105T3G
ON Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 875 mV、最大浪涌电流 40 A，采用 SMB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSRS1050
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V，采用 D2PAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSRS1050 RN
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V，采用 D2PAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSRS1050 RNG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.7 V、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A，采用 TO-263AB-3 封装。
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