IS49RL18320-107BLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
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IS49RL18320-107EBL
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL18320-107EBLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL18320-125BL
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL18320-125BLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL18320-125EBL
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL18320-125EBLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL18320A-093EBL
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL18320A-093EBLI
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL18320A-093FBL
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
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