PAT1220-C-9DB-T5
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 10 GHz、最小频率 DC、类型 High Precision chip Attenuators、最大衰减 9 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.3，采用 0805 封装。
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芯片技术资料
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PAT1632-C-0DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器PAT1632-C-10DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、技术 Si、衰减 10 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.3、原产国家或地区 日本。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器PAT1632-C-1DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、技术 Si、衰减 1 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.3、原产国家或地区 日本。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器PAT1632-C-2DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器PAT1632-C-3DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、技术 Si、衰减 3 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.3、原产国家或地区 日本。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器PAT1632-C-4DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器PAT1632-C-5DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器PAT1632-C-6DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、技术 Si、衰减 6 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.3、原产国家或地区 日本。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器PAT1632-C-7DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器