MMSZ5246B-G3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.083 %/C、稳压管阻抗（Zz） 17 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
MMSZ5246B-G3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.083 %/C、稳压管阻抗（Zz） 17 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5246B-HE3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.083 %/C、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 17 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5246B-HE3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.083 %/C、稳压管阻抗（Zz） 17 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5246B-HE3_A-08
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5246B-HE3_A-18
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5246B-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 17 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5246B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.083 %/C、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 17 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5246BQ-13-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000353 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5246BQ-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000353 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes