MMSZ5238B-HE3_A-18
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 8.7 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
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芯片技术资料
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MMSZ5238B-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 8.7 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5238B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 8.7 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.065 %/C、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5238BHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000317 oz，采用 SOD-123 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5238BS-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 8.7 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5238BS_R1_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 8.7 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5238BS_R1_10001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 8.7 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5238BS_R2_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 8.7 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5238BS_R2_10001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 8.7 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5238BT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 8.7 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
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