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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
M93C56-RMN6TP
STMicroelectronics
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMM93C56-WDW6TP
STMicroelectronics
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMM93C56-WMN6P
STMicroelectronics
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMM93C56-WMN6TP
STMicroelectronics
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMM93C66-RDW3TP/K
STMicroelectronics
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMM93C66-RMC6TG
STMicroelectronics
主要参数包括存储容量 4 kbit、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire、存储组织结构 512 x 8、数据保持时间 200 Year、商品名称 MICROWIREâ?¢，采用 UFDFPN-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMM93C66-RMN3TP/K
STMicroelectronics
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SO-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMM93C66-WDW6TP
STMicroelectronics
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMM93C66-WMN6P
STMicroelectronics
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMM93C66-WMN6TP
STMicroelectronics
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM