MT46V32M8TG-75 IT:G TR
Micron Technology Inc.
- IS43R83200F-5TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
来源:第三方数据源非原厂公告
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STMicroelectronics
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Comchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 26 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 42.1 V、击穿电压 28.9 V,采用 DO-218AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSComchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 28 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 45.4 V、击穿电压 31.1 V,采用 DO-218AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSComchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 30 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 48.4 V、击穿电压 33.3 V,采用 DO-218AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSComchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 33 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 53.3 V、击穿电压 36.7 V,采用 DO-218AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSComchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 36 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 58.1 V、击穿电压 40 V,采用 DO-218AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSComchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 40 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 64.5 V、击穿电压 44.4 V,采用 DO-218AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSComchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 43 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 69.4 V、击穿电压 47.8 V,采用 DO-218AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSIntel
主要参数包括产品 Desktop Chipsets、代号 Raptor Lake、芯片组系列 H770、嵌入式选项 Non-Embedded、支持的显示器数 4、SATA 端口数 8。
半导体 > ChipsetsMACOM
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerMicron
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 64 M x 8,采用 Die 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAM