ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

搜索结果

原厂资料

1 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号资料
LC651104N-4M85-TLM-Eonsemi
  • LC872H08A
查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

CS4352-CZZ

Cirrus Logic Inc.

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • WM8523GEDTCirrus Logic Inc.相似型号
原型号

WM1824CGEFL/V

Cirrus Logic Inc.

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • WM8524CGEDTCirrus Logic Inc.相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

233 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BCM856BS-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 250 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-363 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
查看技术资料

BCM856BSF

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
查看技术资料

BCM856BSH

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 TSSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
查看技术资料

BCM856BSH-QF

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
查看技术资料

BCM856BSH-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TSSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
查看技术资料

BCM856DS,115

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 SC-74-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
查看技术资料

BCM856DS-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 175 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-457 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
查看技术资料

BCM856SH6327XTSA1

Infineon Technologies

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-363-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
查看技术资料

BCM857BS,115

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 SOT-363-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
查看技术资料

BCM857BS,135

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 TSSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
查看技术资料