V20PWM63HM3/I
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-252AE-3 封装。
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V2NM63HM3/H
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 580 mV，采用 DFN-3820A-2 封装。
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Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 DFN-3820A-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersV3NM63HM3/H
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 580 mV，采用 DFN-3820A-2 封装。
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Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 DFN-3820A-2 封装。
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Vishay
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 DO-220AA-2 封装。
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Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 DO-220AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersV5N3M63HM3/I
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 5 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 550 mV，采用 DFN-33A-5 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersV5NM63HM3/H
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 5 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 580 mV，采用 DFN-3820A-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersV5NM63HM3/I
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 5 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 DFN-3820A-2 封装。
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