MT46V128M4TG-6T:F TR
Micron Technology Inc.
- MT46V128M4TG-6T:D TRMicron Technology Inc.参数相近
技术资料参考
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Wolfspeed
该型号为半导体器件,主要参数包括类型 Half Bridge、产品 Modules、正向电压(Vf) 5.4 V、栅源电压(Vgs) - 8 V, + 19 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C。
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主要参数包括原产国家或地区 美国。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesWolfspeed
该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 Half Bridge、正向电压(Vf) 5.8 V、栅源电压(Vgs) - 8 V, + 19 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C。
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该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 Half Bridge、正向电压(Vf) 5.8 V、栅源电压(Vgs) - 8 V, + 19 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesWolfspeed
该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 Half Bridge、正向电压(Vf) 5.8 V、栅源电压(Vgs) - 8 V, + 19 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesWolfspeed
该型号为半导体器件,主要参数包括类型 Full Bridge、产品 Modules、正向电压(Vf) 5.8 V、栅源电压(Vgs) - 8 V, + 19 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C。
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主要参数包括通道数 4 个通道、技术 碳化硅(SiC)、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 1.2 kV、连续漏极电流(Id) 50 A、漏源导通电阻(Rds On) 22.3 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesWolfspeed
该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 T-Type Module、产品 Modules、正向电压(Vf) 5.8 V、栅源电压(Vgs) - 8 V, + 19 V、最小工作温度 - 40 C。
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RF Mixer 1-2400MHz -54C to +85C
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主要参数包括射频频率 1 MHz to 3.4 GHz、转换损耗(最大值) 11.5 dB、噪声系数(NF) 1 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C。
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