EM6M2T2R
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 200 mA，采用 SOT-563-6 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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MAX3674ECM2T
Microchip / Microsemi
主要参数包括型号别名 MAX3674ECM2T。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support ProductsMAX3674ECM2T
Microchip Technology
采用 LQFP-48 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support ProductsMB85R4M2TFN-G-JAE2
RAMXEED
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 k x 16，采用 TSOP-44 封装。
半导体 > 集成电路 > Memory ICs > F-RAMMB85R8M2TABGL-G-JAE1
RAMXEED
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、访问时间 65 ns，采用 FBGA-48 封装。
半导体 > 集成电路 > Memory ICs > F-RAMMB85R8M2TAFN-G-JAE2
RAMXEED
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 16、访问时间 65 ns，采用 TSOP-44 封装。
半导体 > 集成电路 > Memory ICs > F-RAMMS85R4M2TAFN-G-JAE2
RAMXEED
主要参数包括存储容量 4 MB、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 256 K x 16、访问时间 120 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSOP-44 封装。
半导体 > 集成电路 > Memory ICs > F-RAMNSR0230M2T5G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 SOD-723 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersNSVR0230M2T5G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 500 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 1 A，采用 SOD-723 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersRSB27UM2TL
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、端接方式 表面贴装（SMD/SMT），采用 SOT-323FL-3 封装。
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