AIMZA75R016M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 89 A、漏源导通电阻（Rds On） 22 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
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AIMZA75R020M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 75 A、漏源导通电阻（Rds On） 27 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsAIMZA75R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 60 A、漏源导通电阻（Rds On） 36 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsAIMZA75R040M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 44 A、漏源导通电阻（Rds On） 52 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsAIMZA75R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 32 A、漏源导通电阻（Rds On） 78 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsAIMZA75R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 23 A、漏源导通电阻（Rds On） 117 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsAIMZA75R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源导通电阻（Rds On） 182 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsDF11MR12W1M1HFB67BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyPACK CoolSiC、型号别名 DF11MR12W1M1HF_B67 SP005596138。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesDF14MR12W1M1HFB67BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyPACK CoolSiC、型号别名 DF14MR12W1M1HF_B67 SP005729033。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesDF16MR12W1M1HFB67BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyPACK CoolSiC、型号别名 DF16MR12W1M1HF_B67 SP005752902。
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