MX66UM1G45GXDI00-TR
Macronix
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash搜索结果
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MX66UM1G45GXDQ00-T
Macronix
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX66UM1G45GXDR00-T
Macronix
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashNCS7031DM1G020R2G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、每通道输出电流 50 mA、放大器类型 Current Sense、共模电压（Vcm） - 6 V to 80 V，采用 Micro8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersNCV7031DM1G020R2G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、每通道输出电流 50 mA、放大器类型 Current Sense、共模电压（Vcm） - 6 V to 80 V，采用 Micro8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersTBS406 M1G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 4 A、配置 Quad、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 110 A，采用 TBS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTBS408 M1G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 4 A、配置 Quad、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 110 A，采用 TBS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTBS410 M1G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 4 A、配置 Quad、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 110 A，采用 TBS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTBS606 M1G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 6 A、配置 Quad、正向电压（Vf） 0.96 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TBS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTBS608 M1G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 6 A、配置 Quad、正向电压（Vf） 0.96 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TBS-4 封装。
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