原型号
查看详情 · 1 条候选U6264BDC07LLG1
Alliance Memory, Inc.
- AS6C6264-55PCNAlliance Memory, Inc.直接替代候选
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芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
S9S08LG16J0VLF
NXP Semiconductors
该型号为8 位微控制器（MCU），主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 935324311557、单件重量 0.006288 oz。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCUU62256ADC07LLG1
Alliance Memory
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PDIP-28 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMU62256ADK07LLG1
Alliance Memory
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PDIP-28 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMU62256AS2C07LLG1
Alliance Memory
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOP-28 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMU62256AS2C07LLG1TR
Alliance Memory
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOP-28 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMU62256AS2K07LLG1
Alliance Memory
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOP-28 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMU62256AS2K07LLG1TR
Alliance Memory
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOP-28 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMU6264BDK07LLG1
Alliance Memory
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PDIP-28 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMU6264BS2C07LLG1
Alliance Memory
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOP-28 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMU6264BS2K07LLG1
Alliance Memory
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOP-28 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM