原型号
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Sanken Electric USA Inc.
- SLA7075MPRTSanken Electric USA Inc.第三方标注：厂商推荐
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- SLA7076MPRTSanken Electric USA Inc.参数相近
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- SLA7078MPRTSanken Electric USA Inc.参数相近
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- SLA7083MPRSanken Electric USA Inc.参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
6116LA70TDB
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7133LA70G
IDT
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7133LA70GB
IDT
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7134LA70CB
IDT
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-SB-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7134LA70L48B
IDT
主要参数包括高度 1.78 mm、长度 14.2 mm、宽度 14.22 mm、型号别名 7134 IDT7134LA70L48B，采用 LCC-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7143LA70GB
IDT
主要参数包括高度 3.68 mm、长度 29.46 mm、宽度 29.46 mm、型号别名 7143 IDT7143LA70GB，采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMBD8LA700EFV-CE2
ROHM Semiconductor
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 500 mA、类型 Low Side、输出数 8 Output，采用 HTSSOP-B24 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power DistributionCLA7
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierSMLA7
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier