HS1MLHRQG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 Sub SMA 封装。
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HS1MLHRVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1MLW
Taiwan Semiconductor
主要参数包括反向电压（Vr） 700 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 1 uA，采用 SOD-123W 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1MLW RQG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 SOD-123W-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1MLW RVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 SOD-123W-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1MLWHRQG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 SOD-123W-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1MLWHRVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 SOD-123W-2 封装。
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