H11D1S-TA1
Lite-On
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
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H11D1SM
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersH11D1SR2M
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersH11D1SR2VM
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 SMD-DIP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersH11D1VM
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 PDIP-6 封装。
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