IXTH14N80
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 14 A，采用 TO-247-3 封装。
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SIHH14N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源导通电阻（Rds On） 220 mOhms，采用 PowerPAK-8x8-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSIHH14N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源导通电阻（Rds On） 220 mOhms，采用 PowerPAK-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSIHH14N60EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源导通电阻（Rds On） 220 mOhms，采用 PowerPAK-8x8-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSIHH14N65E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 15 A、漏源导通电阻（Rds On） 225 mOhms，采用 PowerPAK-8x8-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSIHH14N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 15 A、漏源导通电阻（Rds On） 225 mOhms，采用 PowerPAK-8x8-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETUMH14NTR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。
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