GBPC35005M T0G
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 35A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 35A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 GBPC-W 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 50 C,采用 GBPC-W-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersTaiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersTaiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 35A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersVishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 GBPC-W 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersVishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC-W 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers