GBPC25010W
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000 V - 25 A
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GBPC2501M
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-M-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC2501M T0
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 25A, 100V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC2501M T0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC2501T
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 25 A
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC2501W
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC2501W
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 25 A
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC2501W
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-W-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC2501W
onsemi
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC2501W T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。
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