GBL04H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
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技术资料参考
芯片技术资料
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GBL04HD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersMT29F64G08CBCGBL04A3WC1
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND FlashMT29F64G08CBCGBL04A3WC1-M
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND FlashMT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash