ES2D-13-F
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 920 mV、最大浪涌电流 50 A，采用 SMB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
ES2D-E3/52T
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2D-E3/5BT
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2D-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2D-LTP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2D-M3/52T
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 50 A，采用 SMB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2D-M3/5BT
Vishay Semiconductors
主要参数包括产品 Rectifiers，采用 SMB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2D-T M4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2D-T R5G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DA
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、配置 Single、产品 Rectifiers、型号别名 ES2DA F3G、单件重量 0.001199 oz，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers