DS28EC20Q+U
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压(最小值) 4 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 80,采用 TDFN-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压(最小值) 4 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 80,采用 TDFN-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM