DS28E07P+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4、数据保持时间 10 Year,采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM技术资料参考
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Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4、数据保持时间 10 Year,采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMMaxim Integrated
主要参数包括高度 0.75 mm、长度 3 mm、宽度 3 mm、单件重量 0.001764 oz,采用 TDFN-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMAnalog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4、数据保持时间 10 Year,采用 TDFN-6 封装。
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