DS1314S-2+
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-8 封装。
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DS1314S-2+T&R
Maxim Integrated
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > Memory ControllersDS1314S-2+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为存储器，主要参数包括存储通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、存储器类型 Nonvolatile SRAM、类型 Non-Volatile SRAM (NVSRAM)、备用电池切换 是，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > Memory ControllersDS1314S-2+T&R/C04
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为存储器，主要参数包括原产国家或地区 美国、型号别名 DS1314S，采用 SOIC-8 封装。
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