9DB106BGILF
IDT
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 105 MHz、输出数 6 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-28 封装。
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9DB106BGILF
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 105 MHz、输出数 6 Output、传播延迟（最大值） 150 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-28 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer9DB106BGILFT
IDT
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 105 MHz、输出数 6 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer9DB106BGILFT
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 105 MHz、输出数 6 Output、传播延迟（最大值） 150 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-28 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer9DB106BGLF
IDT
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 105 MHz、输出数 6 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TSSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer9DB106BGLF
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输入频率 105 MHz、输出数 6 Output、传播延迟（最大值） 150 ps、最小工作温度 0 C，采用 TSSOP-28 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer9DB106BGLFT
IDT
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 105 MHz、最大输出频率 105 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 HCSL，采用 TSSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer9DB106BGLFT
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、最大输出频率 105 MHz、最大输入频率 105 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 LVCMOS，采用 TSSOP-28 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock BufferBDB106
Rectron
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 BDB-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersEDB106
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.35 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DB-1 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers