DB101SP-G
Comchip Technology
Bridge Rectifiers VR=50V, IO=1A
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers搜索结果
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芯片技术资料
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BDB101
Rectron
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 BDB-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersEDB101
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DB-1 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersEDB101C
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DB-1 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersEDB101S-T
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DBS 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersEDB101SC
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DBS 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersPCDB10120G1_R2_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 640 A、反向电流（Ir） 6 uA，采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky DiodesPCDB10120G1_T0_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.048678 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky DiodesSDB101-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.013580 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersSDB101L-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.011076 oz。
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