MJD45H11G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT搜索结果
原厂资料
7 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NJVMJD45H11RLG-VF01 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| NJVMJD45H11T4G-VF01 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| NJVMJD45H11D3T4G | onsemi |
| 2022-06-30 | 查看资料 |
| MJD44H11T5G | onsemi |
| 2020-10-09 | 查看资料 |
| KSE45H11TU | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| MJD45H11TM | onsemi |
| 2019-02-01 | 查看资料 |
| 2SB824S | onsemi |
| 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
MJD45H11J
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 DPAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMJD45H11Q-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-252-3 (DPAK) 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMJD45H11RLG
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 5 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMJD45H11RLG
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMJD45H11T4
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMJD45H11T4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 5 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMJD45H11T4G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMJD45H11TM
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 5 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNJVMJD45H11D3T4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT