621MLF
Renesas Electronics Corporation
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- PI6CL10804WEXDiodes Incorporated相似型号
技术资料参考
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Altera
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 3.89 Mbit、总存储容量 3888 kbit、输入/输出数 525 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V,采用 FBGA-780 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayAltera
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 3.8 Mbit、逻辑单元数 119088 LE、湿敏性 是、逻辑阵列块(LAB)数 7443 LAB、商品名称 Cyclone 10 FPGA、型号别名 965243。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayAltera
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 3.8 Mbit、逻辑单元数 119088 LE、湿敏性 是、逻辑阵列块(LAB)数 7443 LAB、商品名称 Cyclone 10 FPGA、型号别名 967740。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayApacer
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 集成电路 > Memory ICs > DRAMZentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 Zentel Japan、单件重量 0.006875 oz。
半导体 > Memory ICs > DRAMZentel Japan
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 FPGA-78 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMZentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAMZentel Japan
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 FPGA-78 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMZentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAMZentel Japan
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 FPGA-78 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAM