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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
NCG225L75NF8M1onsemi
  • NCG100F475NF121
2021-10-06查看资料
AP3771BK6TR-CG1Diodes Incorporated
  • AP3771BK6TR-BG1
2019-06-28查看资料
CG10167AAInfineon
  • CY62147G30-45BVXA
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CG10167AATInfineon
  • CY62147G30-45BVXA
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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

1 个原型号
原型号

CG10150AF

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选
  • FM24CL64B-GInfineon Technologies第三方标注:厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

276 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

CYPD1120-40LQXI

Cypress Semiconductor

该型号为接口集成电路,主要参数包括湿敏性 是。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > USB Interface IC
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CYPD1120-40LQXIT

Cypress Semiconductor

该型号为接口集成电路,主要参数包括湿敏性 是。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > USB Interface IC
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CYPD1122-40LQXI

Cypress Semiconductor

该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 48 MHz、程序存储容量 32 kB、数据 RAM 容量 4 kB、ADC 分辨率 12 位、输入/输出数 34 个输入/输出、工作电源电压 3.3 V,采用 QFN-40 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCU
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CYPD1132-16SXI

Cypress Semiconductor

该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 48 MHz、程序存储容量 32 kB、数据 RAM 容量 4 kB、ADC 分辨率 12 位、输入/输出数 30 个输入/输出、工作电源电压 3.3 V,采用 SOIC-16 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCU
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CYPD1132-16SXQ

Cypress Semiconductor

该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 48 MHz、程序存储容量 32 kB、数据 RAM 容量 4 kB、ADC 分辨率 12 位、输入/输出数 30 个输入/输出、工作电源电压 3.3 V,采用 SOIC-16 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCU
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CYPD1134-40LQXI

Cypress Semiconductor

该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 48 MHz、程序存储容量 32 kB、数据 RAM 容量 4 kB、ADC 分辨率 12 位、输入/输出数 34 个输入/输出、工作电源电压 3.3 V,采用 QFN-40 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCU
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DCG100X1200NA

IXYS

该型号为二极管,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流(If) 82 A、重复反向电压(Vrrm) 1200 V、正向电压(Vf) 1.25 V、配置 Dual,采用 SOT-227B-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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DCG10P1200HR

IXYS

该型号为二极管,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流(If) 22 A、重复反向电压(Vrrm) 1200 V、正向电压(Vf) 1.5 V、正向浪涌电流(Ifsm) 750 A,采用 ISO247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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DCG10P1200HR

Littelfuse

该型号为二极管,主要参数包括配置 Series、正向电流(If) 22 A、重复反向电压(Vrrm) 1.2 kV、正向电压(Vf) 1.5 V、正向浪涌电流(Ifsm) 750 A、反向电流(Ir) 30 uA,采用 ISO247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky Diodes
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DCG130X1200NA

IXYS

该型号为二极管,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流(If) 105 A、重复反向电压(Vrrm) 1200 V、正向电压(Vf) 1.6 V、正向浪涌电流(Ifsm) 1150 A,采用 SOT-227B-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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