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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
BZX84C9V1-7-F-79	Diodes Incorporated	BZX84C9V1-7-F	2026-01-26	查看资料
BZX84C9V1-7-F-31	Diodes Incorporated	BZX84C9V1-7-F	2020-11-17	查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

59 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BZX84C9V1-E3-08

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 800 uV/C、稳压管电流 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes

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BZX84C9V1-E3-18

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.7 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes

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BZX84C9V1-G3-08

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.7 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes

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BZX84C9V1-G3-18

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.7 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes

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BZX84C9V1-HE3-08

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 800 uV/C、稳压管电流 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes

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BZX84C9V1-HE3-18

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.7 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。

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BZX84C9V1-T1

Rectron

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.05 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 6 %、电压温度系数 5.5 mV/K、稳压管电流 10 mA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω，采用 SOT-23 封装。

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BZX84C9V1-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 350 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。

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BZX84C9V1CC-HF

Comchip Technology

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 350 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。

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BZX84C9V1DBZR

Texas Instruments

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 430 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 200 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。

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