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19 条型号记录

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BZX84B43Q-7-F

Diodes Incorporated

该型号为二极管,主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZX84B43W_R1_00001

Panjit

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 200 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZX84B43W_R1_10001

Panjit

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 200 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZX84B43W_R2_00001

Panjit

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 200 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZX84B43W_R2_10001

Panjit

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 200 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。

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BZX84B43_R1_00001

Panjit

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 410 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZX84B43_R1_10001

Panjit

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 410 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZX84B43_R2_00001

Panjit

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 410 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZX84B43_R2_10001

Panjit

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 410 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。

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