BZX84B43Q-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Diodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesPanjit
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 200 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesPanjit
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 200 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesPanjit
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 200 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesPanjit
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 200 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesPanjit
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 410 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesPanjit
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 410 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesPanjit
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 410 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesPanjit
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 410 mW、最大反向漏电流(Ir) 100 nA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes