BZT52C2V4-G3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 410 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.4 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 85 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
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BZT52C2V4-HE3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.4 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 85 Ω、最大工作温度 + 150 C。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4-HE3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.4 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 85 Ω、最大工作温度 + 150 C。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 50 uA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压温度系数 - 3.5 mV/C、稳压管电流 50 uA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000317 oz，采用 SOD-123 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4L3P-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000035 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4L3PHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 150 mW、稳压管阻抗（Zz） 600 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 DFN-1006-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4LP-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 8.33 %、电压温度系数 - 1.75 mV/C、稳压管电流 50 uA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω，采用 DFN1006-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4LS-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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