BZT52B3V3-HE3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 - 0.3 mV/C、稳压管电流 109 mA、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
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BZT52B3V3-HE3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 - 0.3 mV/C、稳压管电流 109 mA、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、稳压管阻抗（Zz） 89 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 410 mW、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω、配置 Single、反向电流（Ir） 25 uA、正向电压（Vf） 900 mV，采用 SOD-123 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3BS-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000141 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3JS-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 2 %、稳压管电流 4.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 89 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3LS-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000106 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3S
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括配置 Single、单件重量 0.000141 oz，采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3S
Rectron
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压温度系数 0 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B3V3S R9G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 2 %、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 95 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323F-2 封装。
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