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15 条型号记录

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BYG10YHE3_A/I

Vishay Semiconductors

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压(Vr) 1.6 kV、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.15 V、最大浪涌电流 30 A,采用 DO-214AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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BYG10YHM3_A/H

Vishay

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 1600 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.15 V at 1.5 A、最大浪涌电流 30 A,采用 DO-214AC-2 封装。

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BYG10YHM3_A/H

Vishay Semiconductors

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压(Vr) 1.6 kV、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.15 V、最大浪涌电流 30 A,采用 DO-214AC-2 封装。

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BYG10YHM3_A/I

Vishay

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 1600 V、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.15 V at 1.5 A、最大浪涌电流 30 A,采用 DO-214AC-2 封装。

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BYG10YHM3_A/I

Vishay Semiconductors

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压(Vr) 1.6 kV、正向电流(If) 1.5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.15 V、最大浪涌电流 30 A,采用 DO-214AC-2 封装。

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