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Rohm Semiconductor
- CD4069UBETexas Instruments直接替代候选
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
GBU406 D2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU406-G
Comchip Technology
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU406-K
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU406-K D2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU406H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU406HD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU406HD2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersKBU406
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V，采用 KBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersKBU406G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.317466 oz，采用 KBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersKBU406G T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 KBU-4 封装。
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