MBR15150CT
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国、单件重量 0.211644 oz，采用 TO-220-3 封装。
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芯片技术资料
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MBR15150CT C0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 15 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR15150CT-Y
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR15150CT-Y C0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 15 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V、正向电压（Vf） 1.05 V、正向浪涌电流（Ifsm） 150 A，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR15150CTH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR15150CTHC0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 15 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V、正向电压（Vf） 0.92 V、正向浪涌电流（Ifsm） 150 A，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersPBZLTBR151
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 51 V、耗散功率（Pd） 1 W、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 220 Ω、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 DO-214AA-2 封装。
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