MBR1060CT C0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-220AB-3 封装。
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芯片技术资料
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MBR1060CT-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 800 mV、反向电流（Ir） 100 uA，采用 TO-220AB 封装。
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Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1060CT-Y
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1060CT-Y C0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.9 V、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1060CTF-G1
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1060CTH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1060CTHC0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.063493 oz，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1060CTL
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A (2 x 5 A)、正向电压（Vf） 600 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 125 A、配置 Common Cathode，采用 TO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 570 mV，采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。
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