MBR10100-M3/4W
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.65 V、正向浪涌电流（Ifsm） 150 A，采用 TO-220AC 封装。
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原厂资料
12 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR10100CTB-13-G | Diodes Incorporated |
| 2026-05-05 | 查看资料 |
| SBR10100CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR10100CTL-13-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| MBR10100CD-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CDTR-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CDTR-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CS2-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CS2TR-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CT-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CT-LJ | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CTF-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CTL | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
MBR10100CD-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A (2 x 5 A)、正向电压（Vf） 850 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A、配置 Common Cathode，采用 TO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 850 mV，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT C0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.95 V，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 850 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A、反向电流（Ir） 15 mA，采用 $0.047 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT-E1
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT-E3/4W
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 850 mV，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT-G1
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT-M3/4W
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers