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原厂资料

21 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SBR10100CTB-13-GDiodes Incorporated
  • SBR10100CTB-13
2026-05-05查看资料
SBR10100CTBDiodes Incorporated
  • SBR10100CTB-13
2025-07-23查看资料
SBR10100CTL-13-2084Diodes Incorporated
  • SBR10100CTL-13
2023-05-15查看资料
SBR10150CTFPDiodes Incorporated
  • SBR10150CTFP-G
2021-05-24查看资料
SBR10150CTFP-JTDiodes Incorporated
  • SBR10150CTFP-G
2021-05-24查看资料
MBR10100CD-G1Diodes Incorporated
  • MBRD10100CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10100CDTR-E1Diodes Incorporated
  • MBRD10100CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10100CDTR-G1Diodes Incorporated
  • MBRD10100CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10100CS2-G1Diodes Incorporated
  • MBRB10100CT
2019-02-05查看资料
MBR10100CS2TR-G1Diodes Incorporated
  • MBRB10100CT
2019-02-05查看资料
MBR10100CT-E1Diodes Incorporated
  • MBR10100CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10100CT-LJDiodes Incorporated
  • MBR10100CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10100CTF-E1Diodes Incorporated
  • MBR10100CTF-G1
2019-02-05查看资料
MBR10100CTLDiodes Incorporated
  • MBR10100CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10150CT-E1Diodes Incorporated
  • MBR10150CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10150CT-LJDiodes Incorporated
  • MBR10150CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10150CTF-E1Diodes Incorporated
  • MBR10150CTF-G1
2019-02-05查看资料
MBR10150CTLDiodes Incorporated
  • MBR10150CT-G1
2019-02-05查看资料
MBRF10150CT-JTDiodes Incorporated
  • MBR10150CTF-G1
2019-02-05查看资料
MBRF10150CT-LJDiodes Incorporated
  • MBR10150CTF-G1
2019-02-05查看资料
MBRF20150CT-LJDiodes Incorporated
  • MBR10150CTF-G1
2019-02-05查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

1 个原型号
原型号

DS25BR100TSDX/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • DS25BR101TSDE/NOPBTexas Instruments参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

76 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

DS25BR101TSDX/NOPB

Texas Instruments

该型号为接口集成电路，主要参数包括输入／输出数 /、工作电源电压 3.3 V、数据速率 3.125 Gb/s、输入类型 LVDS, LVPECL, CML、输出类型 LVDS、驱动器数 1 Driver，采用 WSON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > LVDS Interface IC
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MBR10100

Diotec Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 800 mV，采用 TO-220AC 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10100

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 850 mV，采用 TO-220AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10100 C0

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-220AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10100-BP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-220AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10100-E3/4W

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-220-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10100-M3/4W

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.65 V、正向浪涌电流（Ifsm） 150 A，采用 TO-220AC 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10100CD-HF

Comchip Technology

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10100CT

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A (2 x 5 A)、正向电压（Vf） 850 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A、配置 Common Cathode，采用 TO-220-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10100CT

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 850 mV，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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