BC847BW-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。
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BC847BW-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BWH RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BWH6433XTMA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV、最大直流集电极电流 200 mA，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BWHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BWQ-13-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BWT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SC-70-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BWT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBC847BWT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBC847BWT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。
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