BC847BPN,125
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。
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BC847BPN,135
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BPN,165
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BPN-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BPN-QH
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BPN-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BPN-QZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BPNH-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BPNH-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BPNTB6_R1_00701
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V, 6 V，采用 SOT-563-6 封装。
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