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原厂资料

8 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
BC847BLP4-7Diodes Incorporated
  • BC847BLP4-7B
2021-03-15查看资料
BC847BV-13Diodes Incorporated
  • BC847BVC-7
2021-03-15查看资料
BC847BV-7Diodes Incorporated
  • BC847BVC-7
2021-03-15查看资料
BC847BVC-7-FDiodes Incorporated
  • BC847BVC-7
2021-03-15查看资料
DN0150ALP4-7Diodes Incorporated
  • BC847BLP4-7B
2021-03-15查看资料
DN0150ALP4-7BDiodes Incorporated
  • BC847BLP4-7B
2021-03-15查看资料
DN0150BLP4-7Diodes Incorporated
  • BC847BLP4-7B
2021-03-15查看资料
DN0150BLP4-7BDiodes Incorporated
  • BC847BLP4-7B
2021-03-15查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

153 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BC847B-AU_R1_000A1

Panjit

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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BC847B-C

Diotec Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括发射极－基极电压（VEBO） 6 V, 5 V、原产国家或地区 中国、商品名称 BC847B-C、单件重量 0.001376 oz，采用 SOT-23 封装。

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BC847B-G

Comchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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BC847B-QR

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-236AB-3 封装。

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BC847B-QVL

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-236AB-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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BC847B-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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BC847B/SNR

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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BC847B/SNVL

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-23-3 封装。

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BC847BDW1T1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SC-70-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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BC847BDW1T1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-6 封装。

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