BC807-16-AQ
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23 封装。
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BC807-16-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-236AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-16-QVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-236AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-16-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A、耗散功率（Pd） 300 mW，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-16FSW-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-16FSWQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-16H-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-16HE3-13P
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-16HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-16HR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。
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