BC337-16 B1G
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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BC337-16 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC337-16 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC337-16-AP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 - 0.8 A、耗散功率（Pd） 625 mW、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC337-16BK
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92BK 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC337-25
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC337-25
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC337-25 A1
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.015873 oz，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC337-25 A1G
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC337-25 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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