BAV70WH RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 2 A、正向电流（If） 150 mA、配置 Dual、恢复时间 4 ns，采用 SOT-323 封装。
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芯片技术资料
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BAV70WH6327XTSA1
Infineon Technologies
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 4.5 A、正向电流（If） 200 mA、恢复时间 4 ns、正向电压（Vf） 1250 mV，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAV70WH6433XTMA1
Infineon Technologies
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 70W BAV H6433 SP000754044、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAV70WQ-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAV70WT-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 2 A、正向电流（If） 150 mA、配置 Dual，采用 SOT-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAV70WT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 70 V、最大浪涌电流 0.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Dual，采用 SC-70-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAV70WT1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 70 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Dual、恢复时间 6 ns，采用 SC-70-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAV70WTHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 1 A、正向电流（If） 150 mA、配置 Common Cathode、恢复时间 4 ns，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAV70W_R1_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 150 mA、配置 Common Cathode、恢复时间 4 ns，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesSBAV70WT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 0.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Dual，采用 SOT-323-3 封装。
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