NFAL7565L4B
onsemi
主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase IGBT Inverter、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 650 V、25°C 时连续集电极电流 75 A、原产国家或地区 中国，采用 DIP-30 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FSAM75SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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NFAL7565L4BT
ON Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 20 V、输出电流 75 A、类型 Smart Power Module、产品 Fan / Motor Controllers / Drivers、工作电源电流 5 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 DIP-31 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & DriversNFAL7565L4BT
onsemi
主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase IGBT Inverter、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 650 V、25°C 时连续集电极电流 75 A、原产国家或地区 中国，采用 DIP-31 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMsPZA1AL7V5B_R1_00701
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 7.5 V、耗散功率（Pd） 1 W、最大反向漏电流（Ir） 10 uA、稳压管阻抗（Zz） 30 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123FL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSMAL7
MACOM
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15 V、工作频率 20～550 MHz、类型 Cascadable Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） - 1.5 dBm、增益 13 dB，采用 SMTO-8 封装。
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